膠帶基材薄膜表面改性技術

進步導電性技能

真空條件下，在膜表面構成導電性納米級薄膜的技能，使用于柔性印制電路板、觸摸板通明導電薄膜等產品。

濺射堆積技能 

在氬氣中對方針施加高壓時，便會構成 Ar+ 和電子組成的等離子體。 Ar+ 在電場中加快，會對方針產生影響，終究噴射出方針物質。 有些情況下，噴射出的原子會直接沉積到基膜上，而另一些情況下，如果如氧氣等活性氣體混入氬氣中時，則會沉積出包含方針物質和氧氣的化合物。 ITO 通明導電膜便歸于后一種，經過彌補 In2O3-SnO2 方針物質中的氧氣（在分化過程中失去）構成。